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大模場漸變折射率光纖設計提升光纖激光器功率
錄入時間:2018/3/9 10:32:59

 

/LFW         

隨著市場對高功率光纖激光器的興趣越來越濃、其應用越來越廣,進一步提升光纖激光器功率的驅使,已經激發(fā)了許多將大模場(LMA)光纖用作增益光纖的研究。在LMA光纖中,纖芯的物理尺寸足夠大以支持多種模式,但光纖的物理特性被設計成抑制高階模式。因此,所需的激光基橫模可以分布在大的橫截面上,從而降低對光纖的潛在的與光相關的損傷(以及光學非線性)。

制造實用型LMA光纖的努力,通常集中在使用階躍折射率或微結構設計。實現(xiàn)單模工作的一個例子是:在增益導引和折射率反導引(GG + IAG)光纖中,通過階躍折射率設計中的模式選擇性衰減來實現(xiàn)。但是,這種光纖具有固有的泄漏損耗,降低了激光效率。

 最近,韓國朝鮮大學光電子工程系的Hyun Su Kim和新加坡南洋理工大學電氣與電子工程學院的Seongwoo Yoo兩位研究人員,已經采用不同的方法,通過改變常規(guī)階躍折射率的GG + IAG光纖設計,使其具有漸變折射率纖芯;該變化降低了泄漏損耗,同時保持了GG + IAG設計的高階模式抑制(由于其凸起折射率的包層)。沒有GG + IAG設計的漸變折射率纖芯光纖自身,在放大下不能維持單模輸出(見圖1)。

1:在沒有(a)和有(b)激光增益的情況下,對通過傳統(tǒng)漸變折射率纖芯光纖傳播的高斯光束的模擬顯示高階模(HOM)出現(xiàn)。然而,如果漸變折射率纖芯在增益引導和折射率反導引(GG + IAG)光纖設計中(圖中未給出),則即使在放大下也能保持基模傳播。

 

折射率凹陷的漸變折射率纖芯

 

“我們研究了一種可以固有抑制高階模(HOM)的替代LMA設計,從而提升了橫模不穩(wěn)定性的閾值。”Yoo解釋說,“曾經提出了一種增益導引機制的反波導結構,作為選擇性提高基模功率的新途徑。然而,人們已經認識到,這種類型結構的光學增益不僅要求放大,而且要克服反導引損耗,這是很難做到的。”

 

在新的理論設計中克服了此基本限制,其中凹陷的漸變折射率大大降低了基模的反導引損耗,而凸起的包層折射率同時提供了抑制HOM的機制。Yoo補充說:“該設計通過固有的HOM抑制實現(xiàn)高斯光束輸出的功率提升。”

 

兩位研究人員模擬了階躍折射率GG + IAG光纖和新光纖設計(無增益)的泄漏損耗,芯徑分別為50μm100μm;結果發(fā)現(xiàn)與階躍折射率纖芯相比,采用梯度折射率纖芯的新設計,將泄漏損耗降低了超過1000倍。他們還發(fā)現(xiàn),雖然階躍折射率GG + IAG的泄漏損耗與光束半徑的大小無關,但對于新設計則存在相關性。因此他們確定,例如對于25μm纖芯半徑的最佳光束尺寸,泄漏損耗<0.003/cm,這比GG + IAG光纖的泄漏損耗再小三個數(shù)量級。

 

對沒有顛倒折射率的純漸變折射率光纖進行的模擬表明,在放大情況下,光束不能保持高斯分布,并且實際上可能通過光束畸變和自聚焦損傷纖芯。

 

Yoo指出:“我們注意到,模擬建議了實際的工作范圍,我們的下一個目標是在實驗室中展示此概念。這將包括制造凹陷的漸變折射率摻鐿(Yb)纖芯、驗證高斯模放大,以及在光纖彎曲下的性能。盡管彎曲畸變,例如壓縮模場和模式分布的偏移,看起來在漸變折射率分布圖上并不顯著(在模擬中也得到支持),但實驗演示在確認各種放大器配置的穩(wěn)健性和適應性方面,將更有說服力。”

 

參考文獻:

1. H. S. Kim and S. Yoo, Opt. Express (2017); https://doi.org/10.1364/oe.25.021935.

 


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