羅芬激光推出前道工序（FEOL）處理交鑰匙解決方案，進(jìn)入半導(dǎo)體市場(chǎng)。新的激光晶圓處理系統(tǒng)Waferlase®200/300/450，是一個(gè)全自動(dòng)的模塊化平臺(tái)，包含市場(chǎng)領(lǐng)先的（超）薄半導(dǎo)體晶片傳送系統(tǒng)，以及可以根據(jù)應(yīng)用的類型選擇激光處理模組。Waferlase®200/300/450（8”/12”/18”wafer size）產(chǎn)品系列從提供IGBT晶圓激光退火和激光晶圓ID 軟打標(biāo)方案開始。

   領(lǐng)先的超薄晶片自動(dòng)化傳送技術(shù)

      羅芬集成了上接觸晶圓傳送技術(shù)，即使晶片有較大的翹曲和彎曲，也能提供精確的無接觸式超薄晶圓傳輸。為開放式標(biāo)準(zhǔn)晶舟或FOUP晶片承載系統(tǒng)，配有兩個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)盒端口。集成的掃描頭，檢測(cè)晶片在晶舟的精確位置。全面而易于使用的系統(tǒng)軟件控制晶舟slot的分配，晶片彎曲測(cè)量，晶片位置以及ID檢測(cè)，甚至由于萬一晶圓損壞處理而會(huì)自動(dòng)改變晶片拾取和放置的順序，例如由于大面積的或相鄰晶圓的相反方向的彎曲。一個(gè)高端的雙臂機(jī)器人負(fù)責(zé)裝卸晶片。前置校準(zhǔn)器（對(duì)邊器）對(duì)wafer中心和邊緣排列晶片。末端受動(dòng)器和前置校準(zhǔn)器之間的“真空握手”區(qū)域，包含的硅片保護(hù)裝置，以確保其背面無損傷傳送。因此，羅芬Waferlase®200/300/450將高端的技術(shù)和先進(jìn)的控制軟件集成其中，在幾乎可以忽略不計(jì)的硅片破損率下確保最大生產(chǎn)量.

      IGBT 晶圓激光退火

      由于IGBT相比與其他晶體管器件相比有顯著的優(yōu)勢(shì)，如高電壓能力，導(dǎo)通電阻低，易于驅(qū)動(dòng)，開關(guān)速度快，耐用性等，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的市場(chǎng)正在不斷增長(zhǎng)。

      這個(gè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素之一，是由于在汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，包括可再生能源，通訊，醫(yī)療，照明和交通運(yùn)輸?shù)男枨蟠蠓�增加�?/font>

      IGBT是在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的厚度為100微米或更小的機(jī)械化變薄的晶片上制造出來的。為了在晶片的背面形成場(chǎng)闌和/或發(fā)射極層，深層注入的摻雜元素（如磷或硼），必須高溫退火的過程中被激活，直到FEOL的最后處理產(chǎn)線。很多時(shí)候，硅片正面的敏感裝置是粘膠帶保護(hù)的。由于膠帶的損傷溫度低，正面裝置的熱感應(yīng)器，以及在處理腔中不均勻的熱分布，使常規(guī)烤箱激活水平低和速度慢。羅芬激光退火工藝已經(jīng)能夠克服這些問題，工藝穩(wěn)定性明顯更高，并且生產(chǎn)成本低，晶片質(zhì)量?jī)?yōu)。激光退火能夠深層激活摻雜物，同時(shí)防止損壞晶片的正面和保護(hù)帶。激光允許在最多2微米范圍內(nèi)，為場(chǎng)闌和/或發(fā)射極層的激活的精準(zhǔn)深度控制。 羅芬IGBT激光退火方法激活率超過90％，遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的方式。