英國利茲大學的研究人員開發(fā)出了世界上功率最大的太赫茲激光器芯片。據(jù)報道，該研究團隊研制的量子級聯(lián)太赫茲激光器的輸出功率超過1W。新記錄比去年維也納團隊的記錄高出一倍以上。

太赫茲波具有廣泛的潛在應用，包括檢測藥品、化學特征及爆炸物的遙感，以及人體內非侵入性癌癥檢測。然而，對科學家和工程師們的主要挑戰(zhàn)之一是使激光器功率和緊湊結構能夠滿足之用要求。

電子與電氣工程學院太赫茲電子專家埃德蒙林菲爾德教授指出，即使可以構建一個能夠產(chǎn)生大功率太赫茲輻射的大型儀器，但其應用是非常有限的，我們需要的太赫茲激光器不僅能夠提供高功率光源，而且還要實現(xiàn)便攜式和低成本。利茲團隊研制的太赫茲量子級聯(lián)激光器的尺寸只有幾個平方毫米。

林菲爾德教授說，這些激光器的工作過程非常微妙，不同的半導體材料，如砷化鎵層建立了一個原子單層。精確地控制每一獨立層的厚度和組成，構建半導體材料層數(shù)在1000到2000之間。他們突破新型激光器功率記錄要歸功于具有的利茲專業(yè)知識制造這些層狀半導體材料，以及合理設計這些材料開發(fā)出高功率激光器件的能力。這項工作由工程和物理科學研究委員會（EPSRC）資助。