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激光助力科學家繪制出電子“華爾茲”軌跡
材料來源:互聯(lián)網(wǎng)          

在半導體中,電子的運動就像在跳華爾茲,一邊自旋一邊按照自旋方向同步地旋轉(zhuǎn)移動。據(jù)物理學家組織網(wǎng)8月13日(北京時間)報道,最近,一個來自IBM研究團隊和瑞士聯(lián)邦理工學院(ETH)的聯(lián)合小組,首次直接繪制出電子怎樣形成一個持續(xù)自旋螺旋的過程圖,揭示了電子在半導體中跳“華爾茲”舞的情景。這一新進展有助于科學家更有效控制設備內(nèi)部磁性運動,帶來更加節(jié)能高效的電子設備。相關論文發(fā)表在《自然·物理學》雜志上。

目前的計算機技術是利用電子所帶電荷來編碼和處理數(shù)據(jù)。隨著半導體元件越來越小,到了無法控制電流的臨界點,就開始顯出局限性,而電子自旋能突破這種障礙。利用電子自旋來存儲、傳輸并處理信息一直是計算機科學家的目標,但他們尚不清楚,電子自旋能否在開始旋轉(zhuǎn)之前將編碼信息保存足夠長的時間。

研究人員利用一種時間分辨掃描顯微技術,監(jiān)控了數(shù)千個電子自旋的演變,這些自旋是在一個很小區(qū)域內(nèi)同時生成,屬于隨機旋轉(zhuǎn)并會很快改變方向。IBM科學家利用超短激光脈沖控制,使得電子同步自旋的時間延長了30倍,達到1.1納秒,相當于1GHz(千兆赫)處理器的一個周期。他們首次觀察到電子旋轉(zhuǎn)移動了超過10微米,整齊地排列成一種規(guī)則的、類似條紋的圖案,這就是所謂的“持續(xù)自旋螺旋”,并繪出了電子自旋的同步“華爾茲”圖像。

實驗用的半導體是ETH科學家制造的一種砷化鎵(GaAs)材料,實驗在零下233℃低溫下進行,以確保電子自旋與環(huán)境之間的相互作用最小化。

同步自旋運動的原因是一種物理機制,自旋軌道的相互作用將自旋和電子運動結(jié)合在一起。聯(lián)合小組中納米系統(tǒng)物理學小組的吉安·薩利斯解釋說,“假設所有舞伴都以女方面向北開始,過一會兒她們就會朝向不同方向,F(xiàn)在,我們相對于移動方向的改變,鎖定旋轉(zhuǎn)速度不變,結(jié)果就像一個完美設計的舞蹈動作:在特定區(qū)域中所有女方的臉始都會向同一方向。對于開發(fā)基于自旋的晶體管而言,控制、操作以及觀察電子自旋的能力非常重要。”

研究人員指出,自旋電子學從實驗室到市場還面臨很大挑戰(zhàn)。電子自旋同步化讓科學家能觀察電子的旋轉(zhuǎn)移動,大大提高了將電子自旋用于處理邏輯操作的可行性,有望帶來更快更節(jié)能的計算機產(chǎn)品。


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